PI薄膜以其优异性能在微电子行业发挥着越来越重要的作用。为了提高其粘接强度，对PI薄膜的表面改性具有重要的意义。

    等离子体是一种全部或部分电离的气体状态物质，含有原子、分子、离子亚稳态和激发态，并且电子、正离子与负离子的含量大致相等。物质能量较高，易与其他物质起物理、化学和生理反应。

    自20世纪60年代以来，等离子体技术，特别是低温等离子体技术对高分子材料表面改性的研究十分活跃，应用越来越广泛。这种改性方法有许多优点：(1)可以很快改变表面组成而不影响其整体相性质；(2)可通过调整工作条件参数选择**条件；(3)可以在表面引入各种官能团为进一步处理创造条件等。

    按放电形式，低温等离子体可分为电晕放电、辉光放电、介质阻挡放电和射频放电等。

(1)电晕放电

电晕放电又称低频放电，是在大气压条件下产生的弱电流放电．是一种高电场强度、低离子密度的低温等离子体。它是对距离很近的2个电极施加较高电压，使电极间的气体击穿而产生的放电现象，放电时会生成臭氧、自由基、电子、紫外线等。

(2)辉光放电

辉光放电也称高频放电，一般是指在适当的低气压下，施加一定的电压使气体击穿而产生的稳定放电现象。其特点是端电压低，同时放出较大的热量。它处于电晕放电与微波放电之间的中间范围，比电晕放电的电场强度高。气体压力小。相比于低气压下的辉光放电，大气压下辉光放电不需产生低气压和真李密封系统．简化了工艺流程。

(3)介质阻挡放电

介质阻挡放电(DBD)通常是由2个平行电极产生，其中至少有1个被电介质层所覆盖，当两电极之间加上交流高压。则两极间的气体击穿而形成放电，介质阻挡放电中的电介质层既能起限流作用又能阻止放电向弧光放电的过渡，可以实现高气压气体放电。DBD放电空间的电场达到气体的击穿场强后，在放电空间产生大量的活性粒子(如电子、离子、准分子、激励态和亚稳态粒子等)。DBD等离子体与材料表面相互作用后。在材料表面形成含氧、含氮的极性基团．使材料表面的粘接性、可染色性、印刷性及生物相容性等性能得到改善。

(4)射频放电

射频放电分为电容藕合式和电感藕合式。两者分别以高频电容电场和涡旋电场来获得等离子体，原理相近，构造相对简单，效果优良，得到了广泛应用。