聚酰亚胺具有高的热稳定性、高的绝缘性、低的介电常数以及优良的机械强度而应用于集成电路。尤其是光敏聚酰亚胺，不但可以大大简化集成电路的制造工艺，而且所制作的图形质量大大优于非光敏聚酰亚胺。随着微电子器件不断向微型化、高密度化方向发展，对光刻胶的性能要求越来越高。

  1971年，由Kerwin 等〔2〕提出光敏聚酰亚胺（PSPI）。八十年代，日本成功地开发出离子型负性PSPI 商品（Photoneece）。这种光刻胶在365"nm 有很强的吸收，其感光度为7 ~ 10"mJ / cm2，这是在以往的报导中感光度**的。在后来的研究中，尽管很多学者做了大量的工作，但所合成的离子型PSPI 的感光度大多在920 ~ 150"mJ / cm2 之间。这种离子型负性PSPI 光刻胶的研究焦点主要集中在光敏性叔胺的设计合成上。离子型PSPI 有许多优点：1、灵敏度高；2、酰亚胺温度低；3、膜的机械性能好；4、合成简便等。近年来有关的报道很多，但感光度都不理想。

  合成了新的复合光敏聚酰胺酸季铵盐，研究了光敏剂、交联剂以及化学结构对感光度的影响，并考察了其热稳定性。结果表明以3，3'，4，4'-联苯四酸二酐- 间苯二胺为主链的聚酰胺酸合成的光敏聚酰胺酸季铵盐有较高的感光度，光敏剂米氏酮的含量在3 ~ 5%，交联剂2，6-双（4-叠氮苄基）-4-甲基环己酮的含量在8 ~ 10%为宜；光敏性叔胺二甲氨基乙醇肉桂叉乙酸酯的含量不可超过8%；由这种复合季铵盐合成的新的光敏聚酰胺酸盐在较低的温度200"C以下就可以完全酰亚胺化，但接近550"C才达到理论失重量。