聚酰亚胺的介电常数￡为3～3．5，对温度或频率的依赖性很小。在室温时体积电阻率为10¹³～10¹⁷Ω·m，而在200℃时为10¹²Ω·m，在200℃以上时，温度对薄膜的体积电阻率的影响不大。对于介电损耗角正切，改变聚酰亚胺链的结构，在室温下tan8实际上是不变化的，其数值为(1～1．5)×10^-3。

  聚酰亚胺的介电损耗主要是由于亚胺环的极性基团C—O而引起的，这种极性基团的位置是对称的，而且都位于环上，其极性的活动受到了限制，而叔胺的氮原子的3个键都是C—N键。所以是趋向于极性抵消。因此聚酰亚胺的介电损耗角正切较低。

  聚酰亚胺有很好的耐电晕性，它比聚酰胺酰亚胺和聚有机硅氧烷要好，一般电晕老化取决于两个化学反应：①由于活性氧的氧化分解；②臭氧、氮氧化物的氧化反应。而亚胺结构和芳香族对于这些反应的抵抗性大，也有人提出在聚酰亚胺中加入四苯基铅和四苯基砷等有机化合物可提高耐电晕性。

  聚酰亚胺的耐电弧性不好，这是芳香族聚合物的共同缺点，这方面是和聚酰亚胺分子真空分解而导致成为半导体性的聚合物的倾向是一致的。